Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу

• Дата: 2020
• Автори: Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2020
• Теми: InGaN сполуки; атомна невпорядкованiсть; оже-рекомбiнацiя; надкомiрка; -; InGaN compounds; atomic disorder; Auger recombination; supercell
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The influence of the atomic disorder on the Auger recombination rate in p-InGaN alloys has been studied. The disorder was simulated using a 4 × 4 × 4 supercell in which In and Ga atoms taken in a required stoichiometric ratio were randomly distributed over the supercell sites. A comparison between t...