Зображення обкладинки

XPS experiment dataset for crystal Tl3PbBr5

The X-ray photoelectron core-level and valence-band spectra for pristine and Ar+-ion irradiated surfaces of a Tl3PbBr5 single crystal grown by the Bridgman–Stockbarger method have been measured. The present X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) results reveal high chemical stability of Tl3PbBr5 sin...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	O.Y. Khyzhun, N. M. Denysyuk
Інші автори:	Denysyuk Natalia
Формат:	Data
Мова:	Англійська
Опубліковано:	DataverseUA 2012
Теми:	Chemistry Physics Semiconductors electronic structure crystal growth method X-ray photoelectron spectroscopy
Онлайн доступ:	https://doi.org/10.48788/DVUA/IVKESW
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Open Data Repository of the National Academy of Sciences of Ukraine

Репозитарії

Open Data Repository of the National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

High-Resolution XPS Dataset for TIHgBr₃ Single Crystals
за авторством: O.Y. Khyzhun, та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray photoelectron spectroscopic study of the electronic structure of Mn₂₋ₓCoₓP₂O₇·5H₂O, at x=1.0
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

Replication Data for: X-ray photoelectron spectroscopic study of the electronic structure of Co10Fe31B10Mo32Ge8Mn9 high-entropy alloy
за авторством: Pazukha, Iryna, та інші
Опубліковано: (2026)

Study of Mn2-хCoxP2O7·5H2O, at x=0, using X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray photoelectron and Nuclear Magnetic Resonance studies of sol-gel glass doped with 5% Ga
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2019)

Study of the electronic structure of Mn2-хCoxP2O7·5H2O at x=0.6, using X-ray photoelectron spectroscopy
за авторством: Smolyak Svitlana, та інші
Опубліковано: (2025)

SEM-EDAX analysis of 8 hydroxyapatite samples: data obtained using the SEO-SEM Inspect S50-B instrument
за авторством: Yevhen Kuzenko, та інші
Опубліковано: (2026)

Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)

X-ray diffraction (XRD) patterns for distinct hydroxyapatite samples
за авторством: Yevhen Kuzenko, та інші
Опубліковано: (2026)

The exciton absorption spectrum of thin films of ternary compounds in the AgBr–PbBr2 system
за авторством: E. N. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Экситонный спектр поглощения тонких пленок тройных соединений в системе AgBr–PbBr₂
за авторством: Коваленко, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2018)

Structure and surface morphology of mercury modified selenium thin films
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2023)

Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)

Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)

Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Sensory features of thiacalix[4]arene molecules towards volatile halogen-aromatic compounds
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)