GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Назва видання: | Радиофизика и радиоастрономия |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100448 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И.П. Стороженко, Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 4. — С. 385-396. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |