Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
Проведено моделирование деформации импульсных вольт-амперных характеристик (ВАХ) отдельного межкристаллитного потенциального барьера при переходных процессах поляризации/деполяризации, связанной с перезарядкой поверхностных электронных состояний, которые обусловливают этот барьер. Установлено, что в...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100461 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний / А.С. Тонкошкур, А.В. Иванченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 15-23. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |