Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu₂ZnSnTe₄. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO₂ и МоОх на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu₂ZnSnTe₄, n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnTe₄ и n-MoO/p-Cu₂ZnS...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100565 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе / Т.Т. Ковалюк, М.Н. Солован, А.И. Мостовой, Э.В. Майструк, Г.П. Пархоменко, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 5-6. — С. 45-49. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |