Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровне...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101872 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-101872 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1018722016-06-09T03:02:25Z Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data. 2012 Article Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101872 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника, исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge. Численным анализом установлено, что нелинейная зависимость ширины запрещенной зоны Ge при низких температурах обусловлена наличием энергетических уровней, в запрещенной зоне вблизи разрешенных зон. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. |
| format |
Article |
| author |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| spellingShingle |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. |
| author_sort |
Гулямов, Г. |
| title |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_short |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_fullStr |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_full_unstemmed |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| title_sort |
тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101872 |
| citation_txt |
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 366-370. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg teplovoeuširenieplotnostisostoânijitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennojzony AT šaribaevnû teplovoeuširenieplotnostisostoânijitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennojzony AT érkaboevui teplovoeuširenieplotnostisostoânijitemperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennojzony |
| first_indexed |
2024-03-30T08:56:09Z |
| last_indexed |
2024-03-30T08:56:09Z |
| _version_ |
1796148815875538944 |