Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизаци...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Каримов, А.В., Каримов, А.А., Рахманов, А.З., Дадаматова К.Т.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102616
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine