Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизаци...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Каримов, А.В., Каримов, А.А., Рахманов, А.З., Дадаматова К.Т.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102616
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-102616
record_format dspace
spelling irk-123456789-1026162016-06-13T03:03:55Z Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода Каримов, А.В. Каримов, А.А. Рахманов, А.З. Дадаматова К.Т. Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов. Розглянуто теплові процеси у високочастотному діоді, що дозволяють визначити динаміку змінювання температури у кожній частині діода в залежності від тривалості дії імпульсу, а також прогнозувати максимальну робочу температуру. Отримані результати становлять інтерес для оптимізації електричних характеристик і матеріалів конструкції силових діодів. Thermal processes are considered in the high speed diode, allowing to define the dynamics of temperature changes in each part of the diode as a function of acting pulse duration, as well as to predict the maximum operating temperature. The results are of interest to optimize the electrical characteristics and the materials of construction of power diodes. 2014 Article Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102616 621.383.52 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную рабочую температуру. Полученные результаты представляют интерес для оптимизации электрических характеристик и материалов конструкции силовых диодов.
format Article
author Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
spellingShingle Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
Физическая инженерия поверхности
author_facet Каримов, А.В.
Каримов, А.А.
Рахманов, А.З.
Дадаматова К.Т.
author_sort Каримов, А.В.
title Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_short Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_full Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_fullStr Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_full_unstemmed Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
title_sort моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/102616
citation_txt Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода / А.В. Каримов, А.А. Каримов, А.З. Рахманов, К.Т. Дадаматова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 1. — С. 14-19. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT karimovav modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT karimovaa modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT rahmanovaz modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
AT dadamatovakt modelirovanieteplovyhprocessovvysokočastotnogokremnievogopindioda
first_indexed 2023-10-18T20:05:25Z
last_indexed 2023-10-18T20:05:25Z
_version_ 1796148899199582208