2025-02-23T16:18:22-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:18:22-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:18:22-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:18:22-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103564 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-103564 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1035642016-06-21T03:02:36Z Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода. Визначено розподіл щільності поверхневих станів в залежності від величини поверхневого потенціалу на гетерограниці nCdS/Si (p). Встановлено, що ультразвукове опромінення зменшує щільності поверхневих станів і це призводить до підвищення спектральної і інтегральної чутливості фотодіода. Determined distribution density of surface states depending on the magnitude of the surface potential at the nCdS/Si(p) heterojunction. It is established that ultrasonic processing of such photo diodes leads to reduction of the surface states density on the heterojunction interface and raises the spectral and integral sensitivity of photodiodes. 2014 Article Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103564 53.043., 53.023., 539.234 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фотодиода. |
| format |
Article |
| author |
Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| spellingShingle |
Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Сапаев, И.Б. Мирсагатов, Ш.А. |
| author_sort |
Сапаев, И.Б. |
| title |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_short |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_full |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_fullStr |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_full_unstemmed |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода |
| title_sort |
влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе psi-ncds-n⁺cds - структуры на плотности поверхностных состояний psi-ncds – гетероперехода |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103564 |
| citation_txt |
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 197-201. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT sapaevib vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvojstvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoânijpsincdsgeteroperehoda AT mirsagatovša vliânieulʹtrazvukovogooblučeniânasvojstvainžekcionnogofotopriemnikanaosnovepsincdsncdsstrukturynaplotnostipoverhnostnyhsostoânijpsincdsgeteroperehoda |
| first_indexed |
2024-03-30T09:00:27Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:00:27Z |
| _version_ |
1796148993816788992 |