2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода
Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...
Saved in:
Main Authors: | Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103564 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
by: I. B. Sapaev, et al.
Published: (2014) -
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
by: I. B. Sapaev, et al.
Published: (2019) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2013) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
by: I. B. Sapaev
Published: (2013) -
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
by: Sapaev, I.B.
Published: (2013)