2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Влияние ультразвукового облучения на свойства инжекционного фотоприемника на основе pSi-nCdS-n⁺CdS - структуры на плотности поверхностных состояний pSi-nCdS – гетероперехода

Определено распределение плотности поверхностных состояний в зависимости от величины поверхностного потенциала на гетерогранице nCdS/Si(p). Установлено, что ультразвуковое облучение уменьшает плотности поверхностных состояний и это приводит к повышению спектральной и интегральной чувствительности фо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103564
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-103564%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:24:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response