Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe

• Видавець: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
• Дата: 2014
• Автори: Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2014
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103565
• Цитувати: Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7•10⁻⁷ A/cm² в начале и ~6,9•10⁻⁷ A/cm² в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу.