Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). М...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103565 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-103565 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1035652016-06-21T03:02:25Z Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7•10⁻⁷ A/cm² в начале и ~6,9•10⁻⁷ A/cm² в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу. Створена плівкова структура з базою p-CdTe (w = 120 μm), що має з двох сторін МОП-елементи: фронтальний Al-n-Al₂O₃-p-CdTe і тиловий Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включенні такої структури в зворотному напрямку струму з’являється протяжна сублінейна ділянка (СУ) на вольтамперної характеристиці (ВАХ). Механізм виникнення СУ пов’язаний з інжекцією електронів з тилової області структури і виникненням в базі (p-CdTe) зустрічних дифузійних і дрейфових струмів, компенсують один одного. Ці фізичні процеси призводять до зростання опору бази в широкому діапазоні напруги зсуву Vb ~ 0,3—70 V, де струм I залишається майже постійним (~6,7•10⁻⁷ A/cm² на початку і ~6,9 10⁻⁷ A/cm² в кінці діапазону). Встановлено, що на початку СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксаційні процеси перенесення обумовлюються рекомбинацией нерівноважних носіїв, інжектованих в базу, а наприкінці СУ (Vb ~ 70 V) такі процеси цілком визначаються часом прольоту нерівноважних носіїв через базу. The film structure with p-CdTe base (w = 120 μm) having from two sides MOS-elements (the frontal Al-n-Al₂O₃-p-CdTe and the rear Mo-MoO3-p-CdTe) is created. The extended sub linear section (SS) on the current-voltage characteristic is appeared if to turn on such structure in the opposite direction of the of the current. Mechanism of an appearance of SS is associated with the injection of electrons from the rear MOS-element and appearance in the base the diffusion and drift currents what compensate each other. These physical processes lead to an increasing of the base resistance in the wide range of the biased voltage (Vb ≈ 0.3—70 V) where current (I) remains almost constant (≈6.7•10⁻⁷ A/cm² in the beginning and (≈6.9•10⁻⁷ A/cm² in the end of the range). It is established that in the beginning of SS (Vb ≈ 0.3 V) relaxation processes of transfer are determined by recombination of no equilibrium carriers what were injected into the base and such processes entirely are defined by time of the transit of these carriers through the base. 2014 Article Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103565 53.043., 53.023.539.234 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). Механизм возникновения СУ связан с инжекцией электронов из тыловой области структуры и возникновением в базе (p-CdTe) встречных диффузионных и дрейфовых токов, компенсирующих друг друга. Эти физические процессы приводят к возрастанию сопротивления базы в широком диапазоне напряжения смещения Vb ~ 0,3—70 V, где ток I остается почти постоянным (~6,7•10⁻⁷ A/cm² в начале и ~6,9•10⁻⁷ A/cm² в конце диапазона). Установлено, что в начале СУ (Vb ~ 0,3 V) релаксационные процессы переноса обуславливаются рекомбинацией неравновесных носителей, инжектированных в базу, а в конце СУ (Vb ~ 70 V) такие процессы целиком определяются временем пролета неравновесных носителей через базу. |
| format |
Article |
| author |
Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| spellingShingle |
Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| author_sort |
Мирсагатов, Ш.А. |
| title |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_short |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_full |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_fullStr |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_full_unstemmed |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe |
| title_sort |
сублинейные обратные вах толстых пленочных структур на основе cdte |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103565 |
| citation_txt |
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT mirsagatovša sublinejnyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte AT ačilovas sublinejnyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte AT zaverûhinbn sublinejnyeobratnyevahtolstyhplenočnyhstrukturnaosnovecdte |
| first_indexed |
2024-03-30T09:00:28Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:00:28Z |
| _version_ |
1796148993922695168 |