Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
Создана пленочная структура с базой из p-CdTe (w = 120 μm), имеющей с двух сторон МОП-элементы: фронтальный Al-n-Al₂O₃-p-CdTe и тыловой Mo-n-MoO3-p-CdTe. При включении такой структуры в обратном направлении тока появляется протяженный сублинейный участок (СУ) на вольтамперной характеристике (ВАХ). М...
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автори: | Мирсагатов, Ш.А., Ачилов, А.С., Заверюхин, Б.Н. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/103565 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 201-211. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
за авторством: Ачилов, А.С., та інші
Опубліковано: (2015) -
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)