Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами

Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Лукин, К.А., Максимов, П.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine