Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами

Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
Дата:2009
Автори: Лукин, К.А., Максимов, П.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2009
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-105731
record_format dspace
spelling irk-123456789-1057312016-09-08T03:02:32Z Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами Лукин, К.А. Максимов, П.П. Вакуумная и твердотельная электроника Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона. Приведено результати чисельного рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових pn–i–pn-структур з різкими лавинними p–n-переходами. Виявлено режим багаточастотних автоколивань в Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з постійним зворотним зсувом. Досліджено механізм збудження автоколивань і виконано спектральний аналіз. Показано, що напівпровідникові структури з різкими p–n-переходами є автоколивальною системою. На їх основі можуть бути створені багаточастотні генератори НВЧ-діапазону. The results of the numeral solution to the equations of diffusive-drifting model of pn–i–pn-structures with abrupt avalanche p-n-junctions are presented. The regime of multifrequency self-oscillations in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with the constant reversed bias is discovered. The mechanism of their excitation is explored and the spectral analysis is executed. It is shown that the semiconductor structure with abrupt p-n-junctions is the self-oscillations system. On the basis of the back displaced Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with optimum parameters multifrequency generators of SHF-range can be created 2009 Article Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731 537.862:621.373.5 ru Радіофізика та електроніка Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
spellingShingle Вакуумная и твердотельная электроника
Вакуумная и твердотельная электроника
Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
Радіофізика та електроніка
description Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона.
format Article
author Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
author_facet Лукин, К.А.
Максимов, П.П.
author_sort Лукин, К.А.
title Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_short Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_full Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_fullStr Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_full_unstemmed Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
title_sort многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
publishDate 2009
topic_facet Вакуумная и твердотельная электроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731
citation_txt Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Радіофізика та електроніка
work_keys_str_mv AT lukinka mnogočastotnyeavtokolebaniâvpoluprovodnikovyhstrukturahsdvumâsvâzannymilavinnymipnperehodami
AT maksimovpp mnogočastotnyeavtokolebaniâvpoluprovodnikovyhstrukturahsdvumâsvâzannymilavinnymipnperehodami
first_indexed 2023-10-18T20:11:15Z
last_indexed 2023-10-18T20:11:15Z
_version_ 1796149203642089472