Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105731 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами / К.А. Лукин, П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 1. — С. 81-87. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |