Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах
Рассматривается ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3…5 при КПД до 11…13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Радіофізика та електроніка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105751 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О.В. Боцула, Д.В. Павленко, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2009. — Т. 14, № 2. — С. 212-217. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |