Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник

Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмон...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Белецкий, Н.Н., Ханкина, С.И., Яковенко, В.М., Яковенко, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2010
Schriftenreihe:Радіофізика та електроніка
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105801
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения.