Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник
Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмон...
Gespeichert in:
Datum: | 2010 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2010
|
Schriftenreihe: | Радіофізика та електроніка |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105801 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Рассеяние электрона на плазменных колебаниях в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н.Н. Белецкий, С.И. Ханкина, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко // Радіофізика та електроніка. — 2010. — Т. 15, № 2. — С. 77-82. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineZusammenfassung: | Рассмотрено взаимодействие плазмонов с заряженной частицей, проходящей через границу полупроводник-диэлектрик-полупроводник с учетом потенциального барьера. Найдены вероятности излучения и поглощения плазменных колебаний заряженной частицей, определены условия, при которых процессы излучения плазмонов превалируют над процессами их поглощения. |
---|