Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре

Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AlGaAs/GaAs...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Гончарук, Н.М., Карушкин, Н.Ф., Ореховский, В.А., Малышко, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
Назва видання:Радіофізика та електроніка
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106051
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.А. Ореховский, В.В. Малышко // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 55-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine