Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре

• Дата: 2014
• Автори: Гончарук, Н.М., Карушкин, Н.Ф., Ореховский, В.А., Малышко, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2014
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумная и твердотельная электроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106051
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.А. Ореховский, В.В. Малышко // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 55-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AlGaAs/GaAs наноструктуре, где эффективная масса и, следовательно, инерционность туннелирования электрона меньше. Получены зависимости отрицательной проводимости (ОП) и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Определены оптимальные значения диаметра и угла пролета, соответствующие максимуму ОП диода при различном времени туннелирования. Показано, что рабочая частота арсенид–галлиевого диода выше, чем таковая нитрид–галлиевого диода при одинаковых параметрах барьерного слоя. Максимальная ОП для арсенид–галлиевого диода меньше ее величины для нитрид–галлиевого диода с таким же временем туннелирования. Полученные результаты подтверждают целесообразность проведенных исследований.