Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage

• Дата: 2014
• Автори: Makara, V.A., Steblenko, L.P., Korotchenkov, O.A., Nadtochiy, A.B., Kalinichenko, D.V., Kuryliuk, A.M., Kobzar, Yu.L., Krit, O.M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
• Назва видання: Металлофизика и новейшие технологии
• Теми: Дефекты кристаллической решётки
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106884
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage / V.A. Makara, L.P. Steblenko, O.A. Korotchenkov, A.B. Nadtochiy, D.V. Kalinichenko, A.M. Kuryliuk, Yu.L Kobzar.,O.M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 2. — С. 189-193. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

The effect of a weak static magnetic field on the structure and charge state of silicon for solar energy storage is investigated. As found, the magnetic-fieldstimulated changes in the defect—impurity state and surface potential are reversible.