Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride
Ab initio розрахунок функцій електрон-фононного зв’язку виконано за методом ЛМТО з використанням повного потенціалу. Низьке значення усередненої константи електрон-фононної взаємодії для HfB₂ λ=0,17 свідчить, що немає підстав для виникнення надпровідного стану в цій сполуці. Вперше було розраховано...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106903 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Interaction between Electron and Phonon Subsystems in Hafnium Diboride / S.M. Sichkar // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 3. — С. 419-429. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |