Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов

• Видавець: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
• Дата: 2008
• Автор: Максимов, П.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2008
• Теми: Радиофизика твердого тела и плазмы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10790
• Цитувати: Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работ...