Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов
Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работ...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10790 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-10790 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-107902010-08-09T12:03:16Z Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов Максимов, П.П. Радиофизика твердого тела и плазмы Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення, амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів. The mixer of SHF signals is designed on the basis of abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the modified method of the meeting driving away. The principle of mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions is determined. An amplification factor, amplitude and frequency responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have been given. 2008 Article Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1028-821X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10790 53:621.382.029.6 ru Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Радиофизика твердого тела и плазмы Радиофизика твердого тела и плазмы |
| spellingShingle |
Радиофизика твердого тела и плазмы Радиофизика твердого тела и плазмы Максимов, П.П. Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| description |
Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа
искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и
фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. |
| format |
Article |
| author |
Максимов, П.П. |
| author_facet |
Максимов, П.П. |
| author_sort |
Максимов, П.П. |
| title |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| title_short |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| title_full |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| title_fullStr |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| title_full_unstemmed |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов |
| title_sort |
моделирование свч смесителей на основе резких p-n переходов |
| publisher |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| publishDate |
2008 |
| topic_facet |
Радиофизика твердого тела и плазмы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10790 |
| citation_txt |
Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT maksimovpp modelirovaniesvčsmesitelejnaosnoverezkihpnperehodov |
| first_indexed |
2023-10-18T16:45:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:45:24Z |
| _version_ |
1796139800231673856 |