Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память....
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108476 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-108476 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1084762016-11-06T03:02:13Z Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. В двобар’єрній кремнієвій n⁺⁺pnn⁺-структурі в режимі замикання nn⁺-p-переходу в передпробійній області при підсвічуванні одиночним імпульсом виявлено явище оптичної пам’яті, а при подачі прямого порогового струму до p-n-переходу виявляється електрична польова пам’ять. In double-barrier silicon n⁺⁺pnn⁺-structure in a reverse biasing mode of nn⁺-p-junction in pre-breakdown region at illumination by a single pulse the phenomenon of optical memory is detected, and at submission of a direct threshold current to p-n-junction the electric field memory is found out. 2014 Article Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108476 621.383.52:535.243 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память. |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| spellingShingle |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_short |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_full |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_fullStr |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_full_unstemmed |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| title_sort |
явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108476 |
| citation_txt |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav âvleniepamâtivdvuhbarʹernojnpnnstrukture AT ëdgorovadm âvleniepamâtivdvuhbarʹernojnpnnstrukture AT abdulhaevoa âvleniepamâtivdvuhbarʹernojnpnnstrukture |
| first_indexed |
2023-10-18T20:17:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:17:41Z |
| _version_ |
1796149480534310912 |