Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режим...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108637 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-108637 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1086372016-11-13T03:02:35Z Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению. У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою. In the field-effect transistor with dynamic load at bipolar connection mode, when an electric field is applied to the drain-gate junction (source connected to the gate) can be obtained two orders of magnitude higher gain in contrast to the known circuit with a common source. The closer the operating point to the pinch-off of the channel, the higher the voltage gain. 2015 Article Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108637 621.383.52:535.243 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В полевом транзисторе с динамической нагрузкой в двухполюсном режиме включения, когда электрическое поле подается на переход сток-затвор (исток соединен к затвору) можно получить на два порядка больший коэффициент усиления в отличие от известной схемы с общим истоком. Чем ближе рабочая точка к режиму отсечки канала, тем выше коэффициент усиления по напряжению. |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. |
| spellingShingle |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Каманов, Б.М. Джураев, Д.Р. Тураев, А.А. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_short |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_full |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_fullStr |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_full_unstemmed |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| title_sort |
особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108637 |
| citation_txt |
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев, А.А. Тураев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 12-16. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav osobennostiusilitelʹnyhsvojstvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskojnagruzkoj AT ëdgorovadm osobennostiusilitelʹnyhsvojstvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskojnagruzkoj AT kamanovbm osobennostiusilitelʹnyhsvojstvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskojnagruzkoj AT džuraevdr osobennostiusilitelʹnyhsvojstvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskojnagruzkoj AT turaevaa osobennostiusilitelʹnyhsvojstvpolevogotranzistoravshemesdinamičeskojnagruzkoj |
| first_indexed |
2023-10-18T20:18:04Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:18:04Z |
| _version_ |
1796149497048334336 |