Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS

• Дата: 2015
• Автори: Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А., Сапаев, Б., Кабулов, Р.Р.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108709
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облучении белым светом мощностью P = 2,7•10⁻² μW структура имеет интегральную чувствительность Sint ≈ 110 A/ lux (1,2•10⁴ A/W) при том же напряжении смещения и температуре. Прямая ветвь ВАХ такой структуры описывается степенными зависимостями I ~ V² и I ~ V³, которые реализуются в длинных диодах (d/L ≥ 10, где d — толщина базы, L — длина диффузии неосновных носителей), и где протекающие токи определяются биполярным дрейфом носителей заряда. Показано, что усиление первичного фототока обусловлено модуляцией биполярной дрейфовой подвижности при облучении «примесным» светом малой мощности.