Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS

• Дата: 2015
• Автори: Сапаев, И.Б., Мирсагатов, Ш.А., Сапаев, Б., Кабулов, Р.Р.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108709
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS / И.Б. Сапаев, Ш.А. Мирсагатов, Б. Сапаев, Р.Р. Кабулов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 129-135. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Создана структура n⁺CdS-nCdS-nSi, чувствительная к малым световым сигналам. Такая структура при освещении лазерным лучом с λ = 0,625 μm и мощностью P = 10 μW/cm² при комнатной температуре имеет спектральную чувствительность S ≈ 4700 A/W при напряжении смещения V = 40V в прямой ветви ВАХ. А при облуч...