Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры
Приведены результаты исследований вольт-амперной характеристики структуры Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm) в зависимости от температуры. Показано, что такая структура имеет протяженный сублинейный участок высокого значения на обратной вольт-амперной характеристике, который практически н...
Збережено в:
Дата: | 2015 |
---|---|
Автори: | Ачилов, А.С., Мирсагатов, Ш.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108757 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Температурная зависимость обратной ветви ВАХ Al-p-CdTe-Mo структуры / А.С. Ачилов, Ш.А. Мирсагатов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 298-312. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Сублинейные обратные ВАХ толстых пленочных структур на основе CdTe
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2014) -
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021) -
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Спектральные свойства М-n⁺CdS-nCdSхTe1-х-pZnхCd1-хTe-Mо-структуры для инжекционного фотоприемника
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)