2025-02-23T18:39:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108759%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:39:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108759%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T18:39:10-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T18:39:10-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, учас...
Saved in:
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108759 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|