Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, учас...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108759 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-108759 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1087592016-11-16T03:02:44Z Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, участвующих в формировании перпендикулярных к направлению тока потенциальных барьеров. Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напівпровідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів. An impedance and coefficient of tenzosensitivity of polycrystalline semiconductors is theoretically calculated taking into account the deposit of modulation transversal subsurface area of spatial charges crystalline grains under the action of mechanical deformation and influence of transversal surface state, participating in forming of perpendicular to the direction of current potential barriers. 2015 Article Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108759 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Теоретически рассчитаны импеданс и коэффициент тензочувствительности поликристаллических полупроводников с учетом вклада модуляции поперечных приповерхностных областей поверхностного заряда кристаллических зерен под действием механической деформации и влияния поперечных поверхностных состояний, участвующих в формировании перпендикулярных к направлению тока потенциальных барьеров. |
| format |
Article |
| author |
Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. |
| spellingShingle |
Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Сулаймонов, Х.М. Юлдашев, Н.Х. |
| author_sort |
Сулаймонов, Х.М. |
| title |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_short |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_full |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_fullStr |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_full_unstemmed |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| title_sort |
тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108759 |
| citation_txt |
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний / Х.М. Сулаймонов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 318-324. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT sulajmonovhm tenzorezistivnyjéffektvpolikristalličeskihpoluprovodnikahsučetomprodolʹnyhipoperečnyhpoverhnostnyhélektronnyhsostoânij AT ûldaševnh tenzorezistivnyjéffektvpolikristalličeskihpoluprovodnikahsučetomprodolʹnyhipoperečnyhpoverhnostnyhélektronnyhsostoânij |
| first_indexed |
2023-10-18T20:18:23Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:18:23Z |
| _version_ |
1796149510016073728 |