The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base

In this paper the mechanism of current’s transport in the structure Al-p-CdTe-Mo is studied, when the thickness of the base w ≤ 10 μm. The results of study of current-voltage characteristics of the structure Al-p-Cd-Te-Mo with different thicknesses of the base and the influence of the thickness of t...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Mirsagatov, Sh.A., Uteniyazov, A.K.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108760
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base / Sh.A. Mirsagatov, A.K. Uteniyazov // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine