Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах

• Дата: 2015
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2015
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108761
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью...