2025-02-23T10:38:30-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108922%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:38:30-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108922%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T10:38:30-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T10:38:30-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Бабійчук, І.В., Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Шепелявий, П.Є.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108922
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108922

Similar Items