Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108923
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-108923
record_format dspace
spelling irk-123456789-1089232016-11-18T03:02:24Z Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С). At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied. 2014 Article Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108923 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С).
format Article
author Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
spellingShingle Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
author_sort Баранський, П.І.
title Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
title_short Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
title_full Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
title_fullStr Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
title_full_unstemmed Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
title_sort вплив термовідпалів при 450 і 650 °с на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2014
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108923
citation_txt Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT baransʹkijpí vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû
AT gajdargp vplivtermovídpalívpri450í650snatenzoopíríparametranízotropííruhlivostímonokristalívkremníû
first_indexed 2023-10-18T20:18:46Z
last_indexed 2023-10-18T20:18:46Z
_version_ 1796149526554214400

Схожі ресурси