2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108923%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108923%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз...
Saved in:
Main Authors: | Баранський, П.І., Гайдар, Г.П. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108923 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108923%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-108923%22&qt=morelikethis
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:42:51-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2016) -
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014) -
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2018) -
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2013) -
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012)