Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters

The influence of neutron irradiation on breakdown voltage (Ubd) and limitation voltage (Ulim) is investigated in silicon voltage limiter. The coefficient Kρ is basic radiation parameter, forming dependences Ubd = f (F) and Ulim = f (F), which determines the dependence of basic charge carriers concen...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2012
Автори: Rakhmatov, A.Z., Tashmetov, M.Yu., Sandler, L.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2012
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/109026
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters / A.Z. Rakhmatov, M.Yu. Tashmetov, L.S. Sandler // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 81-87. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine