Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состо...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/109030 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |