Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состо...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2012
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/109030 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электронные уровни конфигураций дивакансий в кремнии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 13-20. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀ = 1,63·10¹¹ см⁻³) и n-Si (n₀ = 1,19·10¹⁴ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К и изотермического или изохронного отжига. Определены энергетические уровни дивакансии в трех зарядовых состояниях в зависимости от конфигурации. Приведены новые значения энергетических уровней дивакансии и А-центра при их модификации фоновыми примесями. Обосновывается рост концентрации дырок в валентной зоне кремния в результате образования акцепторного уровня, принадлежащего гексавакансии. |
|---|