Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons

• Дата: 2007
• Автори: Astakhov, O., Finger, F., Carius, R., Lambertz, A., Neklyudov, I., Petrusenko, Yu., Borysenko, V., Barankov, D.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110646
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In ord...