Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons

Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons

Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In ord...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Astakhov, O., Finger, F., Carius, R., Lambertz, A., Neklyudov, I., Petrusenko, Yu., Borysenko, V., Barankov, D.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110646
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-110646
record_format dspace
spelling irk-123456789-1106462017-01-06T03:02:47Z Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons Astakhov, O. Finger, F. Carius, R. Lambertz, A. Neklyudov, I. Petrusenko, Yu. Borysenko, V. Barankov, D. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In order to vary the defect density in a wide range 2 MeV electron bombardment at 100 K was applied with dose as high as 10¹⁸ e*cm⁻². Samples were investigated after deposition, after irradiation and between the annealing steps. The spin density (Ns) in the material was varied over 3 orders of magnitude. Strong satellites with g≈2.010 and g≈2.000 were observed on the shoulders of the dangling bond line. The initial Ns and the shape of the resonance line were restored after annealing. Аморфний і мікрокристалічний кремній є широко відомими матеріалами для виробництва тонкоплівкової електроники великої площі. Дефекти у даних матеріалах відіграють вирішальну роль для якості пристроїв і оптимізації виробничих процесів. Ми досліджували тонкоплівковий гідрогенований кремній методом вимірів електронного парамагнитного резонансу (ЕПР). Для зміни щільності дефектів у широкому диапазоні зразки було опромінено електронами з енергією 2 МеВ. Зразки було досліджено після осадження, після опромінення і між етапами відпалу. Щільність спинів (Ns) в матеріалі змінювалась в межах 3-х порядків величини. З обох боків від центрального резонансу, що характеризує обірвані зв’язки кремнію, спостеригались потужні додаткові резонансні лінії (g≈2.010 и g≈2.000). Після відпалу форма резонансних ліній і щільність спинів поверталися до вихідних показників. Аморфный и микрокристаллический кремний являются широко известными материалами для производства тонкопленочной электроники большой площади. Дефекты в данных материалах играют решающую роль для качества приборов и оптимизации производственных процессов. Мы исследовали тонкопленочный гидрогенированный кремний методом измерений электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Для изменения плотности дефектов в широких пределах образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ. Образцы исследовались после осаждения, после облучения и между стадиями отжига. Плотность спинов (Ns) в материале изменялась в пределах 3-х порядков величины. По обе стороны от центрального резонанса, характеризующего оборванные связи кремния, наблюдались мощные дополнительные резонансные линии (g≈2.010 и g≈2.000). После отжига форма резонансных линий и плотность спинов возвращались к исходным значениям. 2007 Article Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110646 538.279:537.533.9 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
spellingShingle Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Astakhov, O.
Finger, F.
Carius, R.
Lambertz, A.
Neklyudov, I.
Petrusenko, Yu.
Borysenko, V.
Barankov, D.
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
Вопросы атомной науки и техники
description Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In order to vary the defect density in a wide range 2 MeV electron bombardment at 100 K was applied with dose as high as 10¹⁸ e*cm⁻². Samples were investigated after deposition, after irradiation and between the annealing steps. The spin density (Ns) in the material was varied over 3 orders of magnitude. Strong satellites with g≈2.010 and g≈2.000 were observed on the shoulders of the dangling bond line. The initial Ns and the shape of the resonance line were restored after annealing.
format Article
author Astakhov, O.
Finger, F.
Carius, R.
Lambertz, A.
Neklyudov, I.
Petrusenko, Yu.
Borysenko, V.
Barankov, D.
author_facet Astakhov, O.
Finger, F.
Carius, R.
Lambertz, A.
Neklyudov, I.
Petrusenko, Yu.
Borysenko, V.
Barankov, D.
author_sort Astakhov, O.
title Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
title_short Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
title_full Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
title_fullStr Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
title_full_unstemmed Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
title_sort paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 мev electrons
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2007
topic_facet Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110646
citation_txt Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT astakhovo paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT fingerf paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT cariusr paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT lambertza paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT neklyudovi paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT petrusenkoyu paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT borysenkov paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
AT barankovd paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons
first_indexed 2023-10-18T20:22:28Z
last_indexed 2023-10-18T20:22:28Z
_version_ 1796149694101979136

Схожі ресурси