Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

• Видавець: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
• Дата: 2007
• Автори: Барабаш, Л.І., Вишневський, І.М., Гроза, А.А., Карпенко, А.Я., Литовченко, П.Г., Старчик, М.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110663
• Цитувати: Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що пі...