Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що пі...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Барабаш, Л.І., Вишневський, І.М., Гроза, А.А., Карпенко, А.Я., Литовченко, П.Г., Старчик, М.І.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110663
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-110663
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1106632017-01-06T03:03:01Z Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge. Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge. In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity. 2007 Article Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110663 238.9;548.4;539.1.074 uk Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Вопросы атомной науки и техники
description	Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge.
format	Article
author	Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І.
author_facet	Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І.
author_sort	Барабаш, Л.І.
title	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_short	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_full	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_fullStr	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_full_unstemmed	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_sort	сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2007
topic_facet	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110663
citation_txt	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT barabašlí sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív AT višnevsʹkijím sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív AT grozaaa sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív AT karpenkoaâ sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív AT litovčenkopg sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív AT starčikmí sučasnímetodipídviŝennâradíacíjnoístíjkostínapívprovídnikovihmateríalív
first_indexed	2023-10-18T20:22:31Z
last_indexed	2023-10-18T20:22:31Z
_version_	1796149695385436160

Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

Репозитарії

Схожі ресурси