Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
Results of the computer simulation for ion sources optimization used for ion implantations have been done. The highly stripped ion source has been designed to provide high current beams of multiply charged P and B ions for high energy ion implantation. However, the total current transport efficiency...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110769 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation / I.V. Litovko, V.I. Gushenets // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 6. — С. 138-140. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |