Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge
In this paper the influence of precursor (titanium tetraisopropoxide (TTIP)) temperature, precursor and gas flow rates on the surface properties of TiO₂ thin films deposited by atmospheric dielectric barrier discharge (ADBD) chemical vapour deposition (CVD) were investigated. Argon was used as worki...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110976 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Deposition of TiO₂ thin films using atmospheric dielectric barrier discharge / Y. Klenko, J. Píchal // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 6. — С. 177-179. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |