2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111081%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111081%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!