2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111081%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111081%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T21:40:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...
Saved in:
Main Authors: | , , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Інститут ядерних досліджень НАН України
2008
|
Series: | Вопросы атомной науки и техники |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|