Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут ядерних досліджень НАН України
2008
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт-
амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується
з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється
тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані
структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ. |
|---|