Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунел...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Конорєва, О.В., Литовченко, П.Г., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут ядерних досліджень НАН України 2008
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-111081
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1110812017-01-13T22:52:13Z Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ. Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ. The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics. 2008 Article Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081 621.315.592 uk Вопросы атомной науки и техники Інститут ядерних досліджень НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP Вопросы атомной науки и техники
description	Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ.
format	Article
author	Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П.
author_facet	Конорєва, О.В. Литовченко, П.Г. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П.
author_sort	Конорєва, О.В.
title	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_short	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_full	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_fullStr	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_full_unstemmed	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP
title_sort	дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів gap
publisher	Інститут ядерних досліджень НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111081
citation_txt	Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP / О.В. Конорєва, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT konorêvaov díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT litovčenkopg díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT opilatvâ díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT petrenkoív díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT pínkovsʹkamb díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap AT tartačnikvp díâpronikaûčoíradíacíínaelektrofízičníharakteristikisvítlovipromínûûčihdíodívgap
first_indexed	2024-03-30T09:14:59Z
last_indexed	2024-03-30T09:14:59Z
_version_	1796149744338206720

Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Репозитарії

Схожі ресурси