Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами

Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³), после облучения быстрыми нейтронами реактора ВВР-М при комнат...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Долголенко, А.П., Гайдар, Г.П., Варенцов, М.Д., Литовченко, П.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111101
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 151-157. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-111101
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1111012017-01-09T03:03:03Z Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³), после облучения быстрыми нейтронами реактора ВВР-М при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в зависимости от флюенса описана в рамках уточненной модели Госсика. Обнаружено, что введение германия, обогащение кислородом повышают радиационную стойкость n-Si так же, как и трансмутационное легирование. Предложен метод повышения радиационной стойкости полупроводниковых детекторов ядерных частиц. Показано, что создание кластеров дефектов быстрыми нейтронами отличается от их создания при облучении 24 ГэВ протонами кремния. Досліджено радіаційну стійкість зразків n- і p-Si, вирощених методом безтигельної зонної плавки і трансмутаційно-легованих, а також кремнію, вирощеного методом Чохральського до та після легування германієм (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³), після опромінення швидкими нейтронами реактора ВВР-М при кімнатній температурі. Ефективну концентрацію носіїв у залежності від флюенса описано в рамках уточненої моделі Госсіка. З’ясовано, що введення германію, збагачення киснем підвищують радіаційну стійкість n-Si так само, як і трансмутаційне легування. Запропоновано метод підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових детекторів ядерних частинок. Показано, що створення кластерів дефектів швидкими нейтронами відрізняється від їх утворення при опроміненні 24 ГеВ протонами кремнію. The radiation hardness of n- and p-Si samples grown both by the floating-zone technique and transmutation doped, as well as Si obtained by Czochralski method, were studied after irradiation by fast-pile neutrons of WWR-M reactors under room temperature before and after germanium doped (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³). The dependence of the effective concentration of carriers on fluence was described in the framework of Gossick's corrected model. It was found that the introduction of germanium and oxygen enrichment improve the radiation hardness of n-Si in the same way as transmutation doping. The method of increasing of radiation hardness for the semiconductor detectors of nuclear particles was proposed. It was shown that the formation of defect clusters by fast-pile neutrons differs from their formation at irradiation of silicon by 24 GeV protons. 2009 Article Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 151-157. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111101 621.315.592.3:546.28:539.12.04 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами Вопросы атомной науки и техники
description	Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³), после облучения быстрыми нейтронами реактора ВВР-М при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в зависимости от флюенса описана в рамках уточненной модели Госсика. Обнаружено, что введение германия, обогащение кислородом повышают радиационную стойкость n-Si так же, как и трансмутационное легирование. Предложен метод повышения радиационной стойкости полупроводниковых детекторов ядерных частиц. Показано, что создание кластеров дефектов быстрыми нейтронами отличается от их создания при облучении 24 ГэВ протонами кремния.
format	Article
author	Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г.
author_facet	Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г.
author_sort	Долголенко, А.П.
title	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
title_short	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
title_full	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
title_fullStr	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
title_full_unstemmed	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
title_sort	радиационная стойкость n- и p-si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111101
citation_txt	Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 151-157. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT dolgolenkoap radiacionnaâstojkostʹnipsilegirovannogokislorodomigermaniemprioblučeniivysokoénergetičeskimiâdernymičasticami AT gajdargp radiacionnaâstojkostʹnipsilegirovannogokislorodomigermaniemprioblučeniivysokoénergetičeskimiâdernymičasticami AT varencovmd radiacionnaâstojkostʹnipsilegirovannogokislorodomigermaniemprioblučeniivysokoénergetičeskimiâdernymičasticami AT litovčenkopg radiacionnaâstojkostʹnipsilegirovannogokislorodomigermaniemprioblučeniivysokoénergetičeskimiâdernymičasticami
first_indexed	2024-03-30T09:15:05Z
last_indexed	2024-03-30T09:15:05Z
_version_	1796149746367201280

Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами

Репозитарії

Схожі ресурси