Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы

• Main Authors: Васильев, В.В., Лучанинов, А.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е., Толмачева, Г.Н., Решетняк, М.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Series: Вопросы атомной науки и техники
• Subjects: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Access: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111121

Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N из...